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ADATA DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit , Arbeitsspeicher(schwarz, AX4U32008G16A-DTBKD35G, XPG Spectrix D35G, INTEL XMP)

Hersteller ADATA Artikelnr. AX4U32008G16A-DTBKD35G
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Description
Eigenschaften
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ADATA DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit , Arbeitsspeicher(schwarz, AX4U32008G16A-DTBKD35G, XPG Spectrix D35G, INTEL XMP)
ADATA DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit , Arbeitsspeicher(schwarz, AX4U32008G16A-DTBKD35G, XPG Spectrix D35G, INTEL XMP)
ADATA DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit , Arbeitsspeicher(schwarz, AX4U32008G16A-DTBKD35G, XPG Spectrix D35G, INTEL XMP)
ADATA DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit , Arbeitsspeicher(schwarz, AX4U32008G16A-DTBKD35G, XPG Spectrix D35G, INTEL XMP)
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ADATA DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit , Arbeitsspeicher(schwarz, AX4U32008G16A-DTBKD35G, XPG Spectrix D35G, INTEL XMP)
Lagernd
Anschluss:288-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:DIMM
Channel geeignet:Dual-Channel
EAN:4711085943286
ADATA DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit , Arbeitsspeicher(schwarz, AX4U32008G16A-DTBKD35G, XPG Spectrix D35G, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das ADATA AX4U32008G16A-DTBKD35G ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Serie XPG Spectrix D35G. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 16-20-20 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Ein Merkmal der Serie XPG Spectrix D35G ist die einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 100006438
Specifications
Anschluss
288-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
DIMM
Channel geeignet
Dual-Channel
EAN
4711085943286
Farbe
schwarz
Hersteller-Nr.
AX4U32008G16A-DTBKD35G
Kapazität
16 GB (2 x 8 GB)
Profile
INTEL XMP (Version 2.0)
RAS-Precharge-Time (tRP)
20
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
20
Serie
XPG Spectrix D35G
Spannung
1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard
DDR4-3200 (PC4-25600)
TimingsCAS Latency (CL)
16
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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