Corsair DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1180450
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK16GX4M2A2400C14

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Description

Eigenschaften

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Corsair DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0843591057530

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMK16GX4M2A2400C14 Vengeance LPX Speicher-Kit ist für das Übertakten von Hochleistungs-PCs konzipiert. Der Wärmeverteiler besteht aus reinem Aluminium, um die Wärme schneller abzuleiten. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Timings von 14-16-16-31 bei 2400 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Der DDR4-Formfaktor ist für die neuen Intel X99er-Mainboards optimiert und bietet höhere Frequenzen, mehr Bandbreite und weniger Stromverbrauch als DDR3-Module. Ebenfalls gibt es XMP-2.0-Support für störungsfreies, automatisches Übertakten.Art.-Nr.: 1180450

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0843591057530

Farbe

schwarz

Gewicht

104 Gramm

Hersteller-Nr.

CMK16GX4M2A2400C14

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance LPX

Spannung

1,2 Volt

Standard

DDR4-2400 (PC4-19200)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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