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Corsair DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK16GX4M2A2400C14
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Description
Eigenschaften
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Corsair DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)
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Corsair DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Lagernd
Anschluss:288-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:DIMM
EAN:0843591057530
Farbe:schwarz
Corsair DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMK16GX4M2A2400C14 Vengeance LPX Speicher-Kit ist für das Übertakten von Hochleistungs-PCs konzipiert. Der Wärmeverteiler besteht aus reinem Aluminium, um die Wärme schneller abzuleiten. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Timings von 14-16-16-31 bei 2400 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Der DDR4-Formfaktor ist für die neuen Intel X99er-Mainboards optimiert und bietet höhere Frequenzen, mehr Bandbreite und weniger Stromverbrauch als DDR3-Module. Ebenfalls gibt es XMP-2.0-Support für störungsfreies, automatisches Übertakten.Art.-Nr.: 1180450
Specifications
Anschluss
288-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
DIMM
EAN
0843591057530
Farbe
schwarz
Gewicht
104 Gramm
Hersteller-Nr.
CMK16GX4M2A2400C14
Kapazität
16 GB (2 x 8 GB)
Profile
INTEL XMP (Version 2.0)
RAS-Precharge-Time (tRP)
16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
16
Row-Active-Time (tRAS)
31
Serie
Vengeance LPX
Spannung
1,2 Volt
Standard
DDR4-2400 (PC4-19200)
TimingsCAS Latency (CL)
14
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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