Corsair DIMM 16 GB DDR4-2933 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z2933C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 16 GB DDR4-2933 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z2933C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1449362
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK16GX4M2Z2933C16

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Description

Eigenschaften

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Corsair DIMM 16 GB DDR4-2933 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z2933C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Lagernd

Abmessungen:Breite: 7 mm x Höhe: 33,5 mm x Tiefe/Länge: 135 mm

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

Bestückung:zweiseitig

Corsair DIMM 16 GB DDR4-2933 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z2933C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-2933-Speichermodulen (PC4-23400) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 16-18-18-36 bei 2933 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine absolut solide Leistung auch bei anspruchsvollster Nutzung mit Blick auf Power User entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit.Art.-Nr.: 1449362

Specifications

Abmessungen

Breite: 7 mm x Höhe: 33,5 mm x Tiefe/Länge: 135 mm

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

Bestückung

zweiseitig

EAN

0843591080866

Farbe

schwarz

Gewicht

75 Gramm

Hersteller-Nr.

CMK16GX4M2Z2933C16

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance LPX

Spannung

1,35 Volt

Standard

DDR4-2933 (PC4-23400)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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