Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMT16GX4M2E3200C16, Dominator Platinum RGB, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMT16GX4M2E3200C16, Dominator Platinum RGB, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1808537
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMT16GX4M2E3200C16

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Description

Eigenschaften

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Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMT16GX4M2E3200C16, Dominator Platinum RGB, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0840006641216

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMT16GX4M2E3200C16, Dominator Platinum RGB, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMT16GX4M2E3200C16 ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Dominator Platinum RGB Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 288-Pin Module unterstützen eine Latenz von 16-20-20-38 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 Volt Spannung. XMP Version 2.0 wird ebenfalls unterstützt. Die Dominator Platinum RGB Serie verfügt über maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einstellbarer LED-Beleuchtung.Art.-Nr.: 1808537

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0840006641216

Farbe

schwarz

Gewicht

244 Gramm

Hersteller-Nr.

CMT16GX4M2E3200C16

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Dominator Platinum RGB

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3200 (PC4-25600)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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