Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, CMK16GX4M2E3200C16W, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, CMK16GX4M2E3200C16W, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1749713
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK16GX4M2E3200C16W

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Description

Eigenschaften

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Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, CMK16GX4M2E3200C16W, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0840006643326

Farbe:weiß

Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, CMK16GX4M2E3200C16W, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMK16GX4M2E3200C16W ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 16-20-20-38 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine anspruchsvolle Nutzung mit Blick auf das Übertakten entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper aus Aluminium mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1749713

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0840006643326

Farbe

weiß

Gewicht

107 Gramm

Hersteller-Nr.

CMK16GX4M2E3200C16W

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance LPX

Spannung

1,35 Volt

Standard

DDR4-3200 (PC4-25600)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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