Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z3200C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z3200C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1692678
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK16GX4M2Z3200C16

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Eigenschaften

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Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z3200C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0843591031110

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z3200C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

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Produktbeschreibung

Das Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 16-18-18-36 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine absolut solide Leistung auch bei anspruchsvollster Nutzung mit Blick auf Power User entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit, auch wenn die anspruchsvollsten Anwendungen laufen.Art.-Nr.: 1692678

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0843591031110

Farbe

schwarz

Hersteller-Nr.

CMK16GX4M2Z3200C16

Hinweis

Diese Arbeitsspeicher sind für AMD optimiert und werden auf AMD-Plattformen gründlich getestet. Sie verfügen über eine höhere Basis-SPD, da die AMD-Plattformen dies unterstützen können.

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance LPX

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3200 (PC4-25600)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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