Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMW16GX4M2Z3200C16, Vengeance RGB PRO, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMW16GX4M2Z3200C16, Vengeance RGB PRO, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1577409
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMW16GX4M2Z3200C16

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Description

Eigenschaften

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Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMW16GX4M2Z3200C16, Vengeance RGB PRO, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0840006616788

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMW16GX4M2Z3200C16, Vengeance RGB PRO, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Vengeance RGB PRO Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 288-Pin Module unterstützen eine Latenz von 16-18-18-36 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 Volt Spannung. Die Vengeance RGB PRO Serie verfügt über maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einstellbarer LED-Beleuchtung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1577409

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0840006616788

Farbe

schwarz

Gewicht

109 Gramm

Hersteller-Nr.

CMW16GX4M2Z3200C16

Hinweis

Diese Arbeitsspeicher sind für AMD optimiert und werden auf AMD-Plattformen gründlich getestet. Sie verfügen über eine höhere Basis-SPD, da die AMD-Plattformen dies unterstützen können.

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance RGB PRO

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3200 (PC4-25600)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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