Corsair DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z4000C18, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z4000C18, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1571748
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK16GX4M2Z4000C18

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Description

Eigenschaften

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Corsair DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z4000C18, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0840006617693

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, für AMD Optimiert , Arbeitsspeicher(schwarz, CMK16GX4M2Z4000C18, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-4000-Speichermodulen (PC4-32000) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 18-22-22-42 bei 4000 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Vengeance Serie wurde speziell für eine anspruchsvolle Nutzung mit Blick auf das Übertakten entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper aus Aluminium mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit.Art.-Nr.: 1571748

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0840006617693

Farbe

schwarz

Gewicht

75 Gramm

Hersteller-Nr.

CMK16GX4M2Z4000C18

Hinweis

Diese Arbeitsspeicher sind für AMD optimiert und werden auf AMD-Plattformen gründlich getestet. Sie verfügen über eine höhere Basis-SPD, da die AMD-Plattformen dies unterstützen können.

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance LPX

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-4000 (PC4-32000)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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