Corsair DIMM 256 GB DDR4-2666 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK256GX4M8A2666C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 256 GB DDR4-2666 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK256GX4M8A2666C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1565909
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK256GX4M8A2666C16

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Eigenschaften

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Corsair DIMM 256 GB DDR4-2666 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK256GX4M8A2666C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:8 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0840006615927

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 256 GB DDR4-2666 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK256GX4M8A2666C16, Vengeance LPX, INTEL XMP)

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Produktbeschreibung

Das Corsair CMK256GX4M8A2666C16 ist ein Kit aus acht 32-GB-DDR4-2666-Speichermodulen (PC4-21300) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 256 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-18-18-35 bei 2666 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine absolut solide Leistung auch bei anspruchsvollster Nutzung mit Blick auf Power User entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit, auch wenn die anspruchsvollsten Anwendungen laufen.Art.-Nr.: 1565909

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

8 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0840006615927

Farbe

schwarz

Gewicht

397 Gramm

Hersteller-Nr.

CMK256GX4M8A2666C16

Kapazität

256 GB (8 x 32 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance LPX

Spannung

1,2 Volt

Standard

DDR4-2666 (PC4-21300)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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