Corsair DIMM 256 GB DDR4-3600 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK256GX4M8D3600C18, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 256 GB DDR4-3600 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK256GX4M8D3600C18, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1694791
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK256GX4M8D3600C18

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Eigenschaften

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Corsair DIMM 256 GB DDR4-3600 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK256GX4M8D3600C18, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:8 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0840006622291

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 256 GB DDR4-3600 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK256GX4M8D3600C18, Vengeance LPX, INTEL XMP)

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Produktbeschreibung

Das Corsair CMK256GX4M8D3600C18 ist ein Kit aus acht 32-GB-DDR4-3200-Speichermodul (PC4-25600) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 256 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Vengeance Serie wurde speziell für eine anspruchsvolle Nutzung mit Blick auf das Übertakten entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper aus Aluminium mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit.Art.-Nr.: 1694791

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

8 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0840006622291

Farbe

schwarz

Hersteller-Nr.

CMK256GX4M8D3600C18

Kapazität

256 GB (8 x 32 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance LPX

Spannung

1,35 Volt

Standard

DDR4-3600 (PC4-28800)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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