Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1778276
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMN64GX4M4Z3600C18

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Description

Eigenschaften

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Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:4 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0840006650706

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMN64GX4M4Z3600C18 ist ein Kit aus vier 16-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Vengeance RGB RT Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 64 GB. Die 288-Pin Module unterstützen eine Latenz von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 Volt Spannung. Die Vengeance RGB RT Serie verfügt über maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einstellbarer LED-Beleuchtung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1778276

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

4 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0840006650706

Farbe

schwarz

Hersteller-Nr.

CMN64GX4M4Z3600C18

Kapazität

64 GB (4 x 16 GB)

Physikalischer Takt

1800 MHz

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance RGB RT

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3600 (PC4-28800)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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