Corsair DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK8GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Name: Corsair DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK8GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)
Brand: Corsair
SKU: 1180452
Availability: InStock

Hersteller Corsair Artikelnr. CMK8GX4M2A2400C14

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Description

Eigenschaften

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Corsair DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK8GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0843591057523

Farbe:schwarz

Corsair DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMK8GX4M2A2400C14, Vengeance LPX, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMK8GX4M2A2400C14 ist ein Kit aus zwei 4-GB-DDR4-2400-Speichermodulen (PC4-19200) aus der Vengeance Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die Module unterstützen Timings von 14-16-16-31 bei 2400 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Die Vengeance Serie wurde speziell für eine absolut solide Leistung auch bei anspruchsvollster Nutzung mit Blick auf Power User entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit, auch wenn die anspruchsvollsten Anwendungen laufen.Art.-Nr.: 1180452

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0843591057523

Farbe

schwarz

Gewicht

101 Gramm

Hersteller-Nr.

CMK8GX4M2A2400C14

Kapazität

8 GB (2 x 4 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Vengeance LPX

Spannung

1,2 Volt

Standard

DDR4-2400 (PC4-19200)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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