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Corsair SO-DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMSX8GX4M2A2400C16, Vengeance)

Hersteller Corsair Artikelnr. CMSX8GX4M2A2400C16
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Description
Eigenschaften
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Corsair SO-DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMSX8GX4M2A2400C16, Vengeance)
Corsair SO-DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMSX8GX4M2A2400C16, Vengeance)
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Corsair SO-DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMSX8GX4M2A2400C16, Vengeance)
Lagernd
Anschluss:260-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:SO-DIMM
EAN:0843591073080
Farbe:schwarz
Corsair SO-DIMM 8 GB DDR4-2400 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, CMSX8GX4M2A2400C16, Vengeance)
Description

Produktbeschreibung

Das Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 ist ein Kit aus zwei 4-GB-DDR4-2400-Speichermodulen (PC4-19200) aus der Vengeance Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-16-16-39 bei 2400 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine anspruchsvolle Nutzung mit Blick auf das Übertakten entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper aus Aluminium mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit.Art.-Nr.: 1262990
Specifications
Anschluss
260-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
SO-DIMM
EAN
0843591073080
Farbe
schwarz
Gewicht
102 Gramm
Hersteller-Nr.
CMSX8GX4M2A2400C16
Kapazität
8 GB (2 x 4 GB)
RAS-Precharge-Time (tRP)
16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
16
Row-Active-Time (tRAS)
39
Serie
Vengeance
Spannung
1,2 Volt (von 1,2 bis 1,5 Volt)
Standard
DDR4-2400 (PC4-19200)
TimingsCAS Latency (CL)
16
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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