G.Skill DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2400C15D-16GRR, Ripjaws 4 Red, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2400C15D-16GRR, Ripjaws 4 Red, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1185029
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-2400C15D-16GRR

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2400C15D-16GRR, Ripjaws 4 Red, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:4719692001917

Farbe:rot

G.Skill DIMM 16 GB DDR4-2400 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2400C15D-16GRR, Ripjaws 4 Red, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das G.Skill F4-2400C15D-16GRR ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR4-2400-Speichermodulen (PC4-19200) aus der Ripjaws 4 Red Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Timings von 15-15-15-35 bei 2400 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Die Ripjaws 4 Black Serie wurde speziell für eine absolut solide Leistung auch bei anspruchsvollster Nutzung mit Blick auf Power User entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit, auch wenn die anspruchsvollsten Anwendungen laufen.Art.-Nr.: 1185029

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

4719692001917

Farbe

rot

Gewicht

138 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-2400C15D-16GRR

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Ripjaws 4 Red

Spannung

1,2 Volt

Standard

DDR4-2400 (PC4-19200)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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