G.Skill DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2666C15D-16GRR, Ripjaws 4, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2666C15D-16GRR, Ripjaws 4, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1215263
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-2666C15D-16GRR

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Description

Eigenschaften

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G.Skill DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2666C15D-16GRR, Ripjaws 4, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

Bestückung:zweiseitig

EAN:4719692002457

G.Skill DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2666C15D-16GRR, Ripjaws 4, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Dual-Channel-Kit F4-2666C15D-16GRR von G.Skill besteht aus zwei 8-GB-DDR4-2666-Speichermodulen (PC4-21300) der Ripjaws4-Serie von G.Skill. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module sind auf Latenzen von 15-15-15-35 bei 2666 MHz programmiert und besitzen vergoldete Kontakte. Der Ripjaws 4 Kühlkörper sorgt für eine effiziente Ableitung der Wärme und mit einer Bauhöhe von 40mm ist er mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar. Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1215263

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

Bestückung

zweiseitig

EAN

4719692002457

Farbe

rot

Gewicht

225 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-2666C15D-16GRR

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Ripjaws 4

Spannung

1,2 Volt

Standard

DDR4-2666 (PC4-21300)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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