G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/weiß, F4-3200C16D-16GTZN, Trident Z Neo, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/weiß, F4-3200C16D-16GTZN, Trident Z Neo, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1565354
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-3200C16D-16GTZN

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/weiß, F4-3200C16D-16GTZN, Trident Z Neo, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:4713294223289

Farbe:schwarz/weiß

G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3200 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/weiß, F4-3200C16D-16GTZN, Trident Z Neo, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das G.Skill F4-3200C16D-16GTZN ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Trident Z Neo Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 16-18-18-38 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Ein Merkmal der Trident Z Neo Serie ist die individuell einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1565354

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

4713294223289

Farbe

schwarz/weiß

Gewicht

125 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-3200C16D-16GTZN

Hinweis

optimiert für AMD RYZEN 3000 & AMD X570 Plattformen

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Trident Z Neo

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3200 (PC4-25600)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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