G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-3600C17D-16GTZ, Trident Z, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-3600C17D-16GTZ, Trident Z, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1236469
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-3600C17D-16GTZ

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-3600C17D-16GTZ, Trident Z, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:4719692008466

Gewicht:300 Gramm

G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-3600C17D-16GTZ, Trident Z, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das G.Skill F4-3600C17D-16GTZ ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Trident Z Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Timings von 17-18-18-38 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Trident Z Serie wurde speziell für die sechste Generation der Intel® Core™ Prozessoren und Boards mit dem Z170-Chipsatz entwickelt. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1236469

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

4719692008466

Gewicht

300 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-3600C17D-16GTZ

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Trident Z

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3600 (PC4-28800)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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