G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, F4-3600C18D-16GTZRX, Trident Z RGB, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, F4-3600C18D-16GTZRX, Trident Z RGB, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1456210
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-3600C18D-16GTZRX

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, F4-3600C18D-16GTZRX, Trident Z RGB, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

Channel geeignet:Dual-Channel

EAN:4713294220462

G.Skill DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, F4-3600C18D-16GTZRX, Trident Z RGB, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das G.Skill F4-3600C18D-16GTZRX ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Trident Z RGB Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 288-pin-unbuffered-DIMMs unterstützen ein Timing von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Intels XMP 2.0 Profil wird unterstützt. Dieses Kit ist speziell für den Einsatz in AMD-Systemen ausgelegt.Art.-Nr.: 1456210

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

Channel geeignet

Dual-Channel

EAN

4713294220462

Farbe

schwarz

Gewicht

124 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-3600C18D-16GTZRX

Hinweis

für AMD-Systeme

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Trident Z RGB

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3600 (PC4-28800)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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