G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-3200C16D-32GFX, Flare X, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-3200C16D-32GFX, Flare X, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1584080
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-3200C16D-32GFX

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Description

Eigenschaften

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G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-3200C16D-32GFX, Flare X, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:4713294223739

Gewicht:100 Gramm

G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-3200C16D-32GFX, Flare X, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das G.Skill F4-3200C16D-32GFX ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Flare X Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 16-18-18-38 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Speichermodule der Flare X Serie sind speziell für den Betrieb mit AMD Ryzen Prozessoren ausgelegt. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1584080

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

4713294223739

Gewicht

100 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-3200C16D-32GFX

Hinweis

für AMD Ryzen Systeme

Kapazität

32 GB (2 x 16 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Flare X

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3200 (PC4-25600)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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