G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3200 (4x 8 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/weiß, F4-3200C14Q-32GTZN, Trident Z Neo, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3200 (4x 8 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/weiß, F4-3200C14Q-32GTZN, Trident Z Neo, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1565363
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-3200C14Q-32GTZN

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3200 (4x 8 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/weiß, F4-3200C14Q-32GTZN, Trident Z Neo, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:4 Stück

Bauform:DIMM

Channel geeignet:Quad-Channel

EAN:4713294223258

G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3200 (4x 8 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/weiß, F4-3200C14Q-32GTZN, Trident Z Neo, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das G.Skill F4-3200C14Q-32GTZN ist ein Dual-/Quad-Channel-Kit aus vier 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Trident Z Neo Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 14-14-14-34 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Ein Merkmal der Trident Z Neo Serie ist die individuell einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1565363

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

4 Stück

Bauform

DIMM

Channel geeignet

Quad-Channel

EAN

4713294223258

Farbe

schwarz/weiß

Gewicht

200 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-3200C14Q-32GTZN

Hinweis

optimiert für AMD RYZEN 3000 & AMD X570 Plattformen

Kapazität

32 GB (4 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Trident Z Neo

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3200 (PC4-25600)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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