G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3600 (4x 8 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(silber, F4-3600C16Q-32GTRSC, Trident Z Royal, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3600 (4x 8 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(silber, F4-3600C16Q-32GTRSC, Trident Z Royal, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1584641
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-3600C16Q-32GTRSC

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3600 (4x 8 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(silber, F4-3600C16Q-32GTRSC, Trident Z Royal, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:4 Stück

Bauform:DIMM

Bestückung:zweiseitig

EAN:4713294223531

G.Skill DIMM 32 GB DDR4-3600 (4x 8 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(silber, F4-3600C16Q-32GTRSC, Trident Z Royal, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das G.Skill F4-3600C16Q-32GTRSC ist ein Kit aus vier 8-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) der Trident Z Royal Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module sind auf eine Latenz von 16-19-19-39 bei 3600 MHz programmiert und benötigen eine Spannung von 1,35 Volt. Intels XMP 2.0 wird unterstützt. Die Trident Z Royal Serie besitzt hochglanz Kühler mit einer oberen Kante aus kristallinem Acrylglas und integrierter RGB-LED-Beleuchtung.Art.-Nr.: 1584641

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

4 Stück

Bauform

DIMM

Bestückung

zweiseitig

EAN

4713294223531

Farbe

silber

Gewicht

100 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-3600C16Q-32GTRSC

Kapazität

32 GB (4 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Trident Z Royal

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3600 (PC4-28800)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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