G.Skill DIMM 64 GB DDR4-2133 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2133C15Q-64GVR, Ripjaws V, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 64 GB DDR4-2133 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2133C15Q-64GVR, Ripjaws V, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1230517
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-2133C15Q-64GVR

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 64 GB DDR4-2133 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2133C15Q-64GVR, Ripjaws V, INTEL XMP)

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Anschluss:288-Pin

Anzahl:4 Stück

Bauform:DIMM

EAN:4719692003072

Farbe:rot

G.Skill DIMM 64 GB DDR4-2133 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(rot, F4-2133C15Q-64GVR, Ripjaws V, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Dieses Quad-Channel-Kit besteht aus vier 16-GB-DDR4-2133-Speichermodulen (PC4-17000) der Ripjaws V-Serie von G.Skill. Die Gesamtkapazität beträgt 64 GB. Die Module sind auf Latenzen von 15-15-15-36 bei 2133 MHz programmiert und besitzen vergoldete Kontakte. Die DDR4 Module aus der Ripjaws V Serie wurden für maximale Kompatibilität und Performance mit der sechsten Generation der Intel-Prozessoren und dem Z170 Chipsatz entwickelt. Die Ripjaws V sind in fünf verschiedenen Farben erhältlich und dank der Bauhöhe von 42mm mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar. Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1230517

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

4 Stück

Bauform

DIMM

EAN

4719692003072

Farbe

rot

Gewicht

216 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-2133C15Q-64GVR

Kapazität

64 GB (4 x 16 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Ripjaws V

Spannung

1,2 Volt

Standard

DDR4-2133 (PC4-17000)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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