G.Skill DIMM 64 GB DDR4-3200 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, F4-3200C14Q-64GVK, Ripjaws V, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 64 GB DDR4-3200 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, F4-3200C14Q-64GVK, Ripjaws V, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1260890
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-3200C14Q-64GVK

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 64 GB DDR4-3200 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, F4-3200C14Q-64GVK, Ripjaws V, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:4 Stück

Bauform:DIMM

Bestückung:zweiseitig

EAN:4719692009241

G.Skill DIMM 64 GB DDR4-3200 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, F4-3200C14Q-64GVK, Ripjaws V, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das G.Skill F4-3200C14Q-64GVK ist ein Quad-Channel-Kit aus vier 16-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Ripjaws V Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 64 GB. Die Module sind auf Latenzen von 14-14-14-34 bei 3200 MHz programmiert und besitzen vergoldete Kontakte. Die Quad-Channel DDR4 Module aus der Ripjaws V Serie wurden für maximale Kompatibilität und Performance mit der sechsten Generation der Intel-Prozessoren und dem Z170 Chipsatz entwickelt. Die Ripjaws V sind in fünf verschiedenen Farben erhältlich und dank der Bauhöhe von 42mm mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar. Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1260890

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

4 Stück

Bauform

DIMM

Bestückung

zweiseitig

EAN

4719692009241

Farbe

schwarz

Gewicht

225 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-3200C14Q-64GVK

Kapazität

64 GB (4 x 16 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Ripjaws V

Spannung

1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)

Standard

DDR4-3200 (PC4-25600)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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