G.Skill DIMM 8 GB DDR4-2133 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-2133C15D-8GVR, Ripjaws V, INTEL XMP)

Name: G.Skill DIMM 8 GB DDR4-2133 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-2133C15D-8GVR, Ripjaws V, INTEL XMP)
Brand: G.Skill
SKU: 1218133
Availability: InStock

Hersteller G.Skill Artikelnr. F4-2133C15D-8GVR

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Eigenschaften

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G.Skill DIMM 8 GB DDR4-2133 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-2133C15D-8GVR, Ripjaws V, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

Bestückung:zweiseitig

EAN:4719692002877

G.Skill DIMM 8 GB DDR4-2133 (2x 4 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(F4-2133C15D-8GVR, Ripjaws V, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Dieses Dual-Channel-Kit besteht aus zwei 4-GB-DDR4-2133-Speichermodulen (PC4-17000) der Ripjaws V-Serie von G.Skill. Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die Module sind auf Latenzen von 15-15-15-35 bei 2133 MHz programmiert und besitzen vergoldete Kontakte. Die Dual-Channel DDR4 Module aus der Ripjaws V Serie wurden für maximale Kompatibilität und Performance mit der sechsten Generation der Intel-Prozessoren und dem Z170 Chipsatz entwickelt. Die Ripjaws V sind in fünf verschiedenen Farben erhältlich und dank der Bauhöhe von 42mm mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar. Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1218133

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

Bestückung

zweiseitig

EAN

4719692002877

Gewicht

130 Gramm

Hersteller-Nr.

F4-2133C15D-8GVR

Kapazität

8 GB (2 x 4 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Ripjaws V

Spannung

1,2 Volt

Standard

DDR4-2133 (PC4-17000)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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