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Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3200 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432C16RB2AK4/128, Renegade RGB, INTEL XMP)

Hersteller Kingston FURY Artikelnr. KF432C16RB2AK4/128
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Description
Eigenschaften
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Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3200 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432C16RB2AK4/128, Renegade RGB, INTEL XMP)
Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3200 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432C16RB2AK4/128, Renegade RGB, INTEL XMP)
Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3200 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432C16RB2AK4/128, Renegade RGB, INTEL XMP)
Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3200 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432C16RB2AK4/128, Renegade RGB, INTEL XMP)
Lagernd
Anschluss:288-Pin
Anzahl:4 Stück
Bauform:DIMM
EAN:0740617338171
Farbe:schwarz
Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3200 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432C16RB2AK4/128, Renegade RGB, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das Kingston FURY KF432C16RB2AK4/128 ist ein Kit aus 4x 32 GB DDR4-3200 (PC4-25600) Speichermodulen aus der Renegade RGB Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 128 GB. Das 288-Pin Modul unterstützt eine Latenz von 16 bei 3200 MHz und benötigt 1.35 Volt Spannung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 100023423
Specifications
Anschluss
288-Pin
Anzahl
4 Stück
Bauform
DIMM
EAN
0740617338171
Farbe
schwarz
Hersteller-Nr.
KF432C16RB2AK4/128
Kapazität
128 GB (4 x 32 GB)
Profile
INTEL XMP (Version 2.0)
RAS-Precharge-Time (tRP)
19
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
19
Serie
Renegade RGB
Spannung
1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard
DDR4-3200 (PC4-25600)
TimingsCAS Latency (CL)
16
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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