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Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3600 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF436C18BBK4/128, Beast, INTEL XMP)

Hersteller Kingston FURY Artikelnr. KF436C18BBK4/128
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Description
Eigenschaften
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Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3600 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF436C18BBK4/128, Beast, INTEL XMP)
Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3600 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF436C18BBK4/128, Beast, INTEL XMP)
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Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3600 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF436C18BBK4/128, Beast, INTEL XMP)
Lagernd
Abmessungen:Breite: 133,35 mm x Höhe: 34,1 mm x Tiefe/Länge: 7,2 mm
Anschluss:288-Pin
Anzahl:4 Stück
Bauform:DIMM
EAN:0740617319712
Kingston FURY DIMM 128 GB DDR4-3600 (4x 32 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, KF436C18BBK4/128, Beast, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das Kingston FURY KF436C18BBK4/128 ist ein Kit aus vier 32-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Beast Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 128 GB. Die Module unterstützen Timings von 18-22-22 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1765533
Specifications
Abmessungen
Breite: 133,35 mm x Höhe: 34,1 mm x Tiefe/Länge: 7,2 mm
Anschluss
288-Pin
Anzahl
4 Stück
Bauform
DIMM
EAN
0740617319712
Farbe
schwarz
Hersteller-Nr.
KF436C18BBK4/128
Hinweis
Dual Rank
Kapazität
128 GB (4 x 32 GB)
Physikalischer Takt
1800 MHz
Profile
INTEL XMP (Version 2.0)
RAS-Precharge-Time (tRP)
22
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
22
Serie
Beast
Spannung
1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
SpeicherchipsDatendichte
16384 Mbit pro Speicherchip
Standard
DDR4-3600 (PC4-28800)
TimingsCAS Latency (CL)
18
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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