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Kingston FURY DIMM 256 GB DDR4-3200 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/silber, KF432C16RB2K8/256, FURY Renegade Black XMP, INTEL XMP)

Hersteller Kingston FURY Artikelnr. KF432C16RB2K8/256
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Description
Eigenschaften
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Kingston FURY DIMM 256 GB DDR4-3200 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/silber, KF432C16RB2K8/256, FURY Renegade Black XMP, INTEL XMP)
Kingston FURY DIMM 256 GB DDR4-3200 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/silber, KF432C16RB2K8/256, FURY Renegade Black XMP, INTEL XMP)
Kingston FURY DIMM 256 GB DDR4-3200 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/silber, KF432C16RB2K8/256, FURY Renegade Black XMP, INTEL XMP)
Kingston FURY DIMM 256 GB DDR4-3200 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/silber, KF432C16RB2K8/256, FURY Renegade Black XMP, INTEL XMP)
Lagernd
Anschluss:288-Pin
Anzahl:8 Stück
Bauform:DIMM
EAN:0740617337860
Farbe:schwarz/silber
Kingston FURY DIMM 256 GB DDR4-3200 (8x 32 GB) Octo-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz/silber, KF432C16RB2K8/256, FURY Renegade Black XMP, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das Kingston KF432C16RB2K8/256 ist ein Kit aus acht 32-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der FURY Renegade Black XMP Serie von Kingston. Das Modul ist auf Latenzen von CL16-19-19 bei 3200 MHz getestet. Das 288-pin unbuffered DIMM benötigt eine Spannung von 1,35 Volt.Art.-Nr.: 100022673
Specifications
Anschluss
288-Pin
Anzahl
8 Stück
Bauform
DIMM
EAN
0740617337860
Farbe
schwarz/silber
Hersteller-Nr.
KF432C16RB2K8/256
Kapazität
256 GB (8 x 32 GB)
Profile
INTEL XMP
RAS-Precharge-Time (tRP)
19
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
19
Serie
FURY Renegade Black XMP
Spannung
1,35 Volt
Standard
DDR4-3200 (PC4-2560)
TimingsCAS Latency (CL)
16
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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