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Kingston FURY SO-DIMM 16 GB DDR4-3200, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432S20IB/16, Impact, INTEL XMP)

Hersteller Kingston FURY Artikelnr. KF432S20IB/16
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Description
Eigenschaften
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Kingston FURY SO-DIMM 16 GB DDR4-3200, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432S20IB/16, Impact, INTEL XMP)
Kingston FURY SO-DIMM 16 GB DDR4-3200, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432S20IB/16, Impact, INTEL XMP)
Kingston FURY SO-DIMM 16 GB DDR4-3200, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432S20IB/16, Impact, INTEL XMP)
Kingston FURY SO-DIMM 16 GB DDR4-3200, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432S20IB/16, Impact, INTEL XMP)
Lagernd
Abmessungen:Breite: 69,6 mm x Höhe: 30 mm
Anschluss:260-Pin
Anzahl:1 Stück
Bauform:SO-DIMM
EAN:0740617318395
Kingston FURY SO-DIMM 16 GB DDR4-3200, Arbeitsspeicher(schwarz, KF432S20IB/16, Impact, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das Kingston FURY KF432S20IB/16 ist ein 16-GB-DDR4-3200-Speichermodul (PC4-25600) der Impact Serie. Das Modul unterstützt ein Timing von 20-22-22 bei 3200 MHz und benötigt 1,2 V Spannung. Module der Impact Serie erkennen automatisch die Plattform, in die sie eingebaut sind, und übertakten ohne erforderliche Systemanpassung in den BIOS-Einstellungen automatisch auf die angegebene Höchstfrequenz. Intels XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1765662
Specifications
Abmessungen
Breite: 69,6 mm x Höhe: 30 mm
Anschluss
260-Pin
Anzahl
1 Stück
Bauform
SO-DIMM
EAN
0740617318395
Farbe
schwarz
Hersteller-Nr.
KF432S20IB/16
Hinweis
Single Rank
Kapazität
16 GB
Profile
INTEL XMP
RAS-Precharge-Time (tRP)
22
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
22
Serie
Impact
Spannung
1,2 Volt
SpeicherchipsDatendichte
16384 Mbit pro Speicherchip
Standard
DDR4-3200 (PC4-25600)
TimingsCAS Latency (CL)
20
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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