Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)

Name: Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)
Brand: Lexar
SKU: 1815423
Availability: InStock

Hersteller Lexar Artikelnr. LD4EU008G-R4000GDWA

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Eigenschaften

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Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)

Lagernd

Abmessungen:Breite: 43,3 mm x Höhe: 7,9 mm x Tiefe/Länge: 140 mm

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0843367127160

Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Lexar LD4EU008G-R4000GDWA ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-4000-Speichermodulen aus der Ares-RGB-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 288-Pin-DIMM entsprechen dem PC4-32000-Standard und sind geeignet für einen Speichertakt bis 4000 MHz bei Latenzen von 18-22-22-42. Die Module benötigen eine Spannung von 1,4 Volt. Ein Merkmal der Ares RGB Serie ist die einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1815423

Specifications

Abmessungen

Breite: 43,3 mm x Höhe: 7,9 mm x Tiefe/Länge: 140 mm

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0843367127160

Farbe

weiß

Hersteller-Nr.

LD4EU008G-R4000GDWA

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Ares Gaming

Spannung

1,2 Volt (von 1,2 bis 1,4 Volt)

Standard

DDR4-4000 (PC4-32000)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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