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Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)

Hersteller Lexar Artikelnr. LD4EU008G-R4000GDWA
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Description
Eigenschaften
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Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)
Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)
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Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)
Lagernd
Abmessungen:Breite: 43,3 mm x Höhe: 7,9 mm x Tiefe/Länge: 140 mm
Anschluss:288-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:DIMM
EAN:0843367127160
Lexar DIMM 16 GB DDR4-4000 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, LD4EU008G-R4000GDWA, Ares Gaming, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das Lexar LD4EU008G-R4000GDWA ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-4000-Speichermodulen aus der Ares-RGB-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 288-Pin-DIMM entsprechen dem PC4-32000-Standard und sind geeignet für einen Speichertakt bis 4000 MHz bei Latenzen von 18-22-22-42. Die Module benötigen eine Spannung von 1,4 Volt. Ein Merkmal der Ares RGB Serie ist die einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1815423
Specifications
Abmessungen
Breite: 43,3 mm x Höhe: 7,9 mm x Tiefe/Länge: 140 mm
Anschluss
288-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
DIMM
EAN
0843367127160
Farbe
weiß
Hersteller-Nr.
LD4EU008G-R4000GDWA
Kapazität
16 GB (2 x 8 GB)
Profile
INTEL XMP (Version 2.0)
RAS-Precharge-Time (tRP)
22
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
22
Row-Active-Time (tRAS)
42
Serie
Ares Gaming
Spannung
1,2 Volt (von 1,2 bis 1,4 Volt)
Standard
DDR4-4000 (PC4-32000)
TimingsCAS Latency (CL)
18
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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