Mushkin DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C266GHHF8GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)

Name: Mushkin DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C266GHHF8GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)
Brand: Mushkin
SKU: 1706235
Availability: InStock

Hersteller Mushkin Artikelnr. MLA4C266GHHF8GX2

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Description

Eigenschaften

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Mushkin DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C266GHHF8GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0846651030016

Farbe:schwarz

Mushkin DIMM 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C266GHHF8GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Mushkin MLA4C266GHHF8GX2 ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-2666-Speichermodulen aus der Redline Lumina RGB-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die mit Kühlkörpern ausgestatteten 288-Pin-DIMM entsprechen dem PC4-21300-Standard bei einer Spannung von 1,2 Volt und sind geeignet für einen Speichertakt bis 2666 MHz bei Latenzen von 16-17-17-36. Ein Merkmal der Redline Lumina RGB Serie ist die individuell einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1706235

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0846651030016

Farbe

schwarz

Gewicht

125 Gramm

Hersteller-Nr.

MLA4C266GHHF8GX2

Kapazität

16 GB (2 x 8 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Redline Lumina RGB

Spannung

1,2 Volt

Standard

DDR4-2666 (PC4-21300)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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