Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MLB4C360JNNM16GX2, Redline Lumina, INTEL XMP)

Name: Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MLB4C360JNNM16GX2, Redline Lumina, INTEL XMP)
Brand: Mushkin
SKU: 1782885
Availability: InStock

Hersteller Mushkin Artikelnr. MLB4C360JNNM16GX2

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Description

Eigenschaften

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Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MLB4C360JNNM16GX2, Redline Lumina, INTEL XMP)

Lagernd

Anschluss:288-Pin

Anzahl:2 Stück

Bauform:DIMM

EAN:0846651032003

Farbe:weiß

Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MLB4C360JNNM16GX2, Redline Lumina, INTEL XMP)

Description

Produktbeschreibung

Das Mushkin MLB4C360JNNM16GX2 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3600-Speichermodulen aus der Redline Lumina-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die mit Kühlkörpern ausgestatteten 288-Pin-DIMM entsprechen dem PC4-28800-Standard bei einer Spannung von 1.35 Volt und sind geeignet für einen Speichertakt bis 3600 MHz bei Latenzen von 18-22-22-42. Ein Merkmal der Redline Lumina Serie ist die individuell einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1782885

Specifications

Anschluss

288-Pin

Anzahl

2 Stück

Bauform

DIMM

EAN

0846651032003

Farbe

weiß

Hersteller-Nr.

MLB4C360JNNM16GX2

Kapazität

32 GB (2 x 16 GB)

Profile

INTEL XMP (Version 2.0)

RAS-Precharge-Time (tRP)

RAS-to-CAS-Delay (tRCD)

Row-Active-Time (tRAS)

Serie

Redline Lumina

Spannung

von 1,2 bis 1,2 Volt

Standard

DDR4-3600 (PC4-28800)

TimingsCAS Latency (CL)

Typ

SDRAM-DDR4

Weitere Informationen

DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".

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