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Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White)

Hersteller Mushkin Artikelnr. MRD4E360GKKP16GX2
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Description
Eigenschaften
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Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White)
Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White)
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Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White)
Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White)
Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White)
Lagernd
Anschluss:288-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:DIMM
EAN:0846651032386
Farbe:weiß
Mushkin DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(weiß, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White)
Description

Produktbeschreibung

Das Mushkin MRD4E360GKKP16GX2 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3600-Speichermodulen aus der Redline ECC White-Serie. Die mit "FrostByte"-Kühlkörpern ausgestatteten 288-Pin-DIMMs entsprechen dem PC4-28800-Standard und sind geeignet für einen Speichertakt bis 3600 MHz bei Latenzen von 16-19-19-39. Die Module benötigen eine Spannung von 1,4 Volt.Art.-Nr.: 1782640
Specifications
Anschluss
288-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
DIMM
EAN
0846651032386
Farbe
weiß
Hersteller-Nr.
MRD4E360GKKP16GX2
Kapazität
32 GB (2 x 16 GB)
RAS-Precharge-Time (tRP)
19
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
19
Row-Active-Time (tRAS)
39
Serie
Redline ECC White
Spannung
1,4 Volt
Standard
DDR4-3600 (PC4-28800)
TimingsCAS Latency (CL)
16
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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