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Mushkin DIMM 32 GB DDR4-4133 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C413KOOP16GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)

Hersteller Mushkin Artikelnr. MLA4C413KOOP16GX2
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Description
Eigenschaften
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Mushkin DIMM 32 GB DDR4-4133 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C413KOOP16GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)
Mushkin DIMM 32 GB DDR4-4133 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C413KOOP16GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)
Mushkin DIMM 32 GB DDR4-4133 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C413KOOP16GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)
Mushkin DIMM 32 GB DDR4-4133 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C413KOOP16GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)
Lagernd
Anschluss:288-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:DIMM
EAN:0846651030436
Farbe:schwarz
Mushkin DIMM 32 GB DDR4-4133 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MLA4C413KOOP16GX2, Redline Lumina RGB, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das Mushkin MLA4C413KOOP16GX2 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-4133-Speichermodulen aus der Redline Lumina RGB-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die mit Kühlkörpern ausgestatteten 288-Pin-DIMM entsprechen dem PC4-33000-Standard bei einer Spannung von 1.4 Volt und sind geeignet für einen Speichertakt bis 4133 MHz bei Latenzen von 19-23-23-43. Ein Merkmal der Redline Lumina RGB Serie ist die individuell einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.Art.-Nr.: 1738961
Specifications
Anschluss
288-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
DIMM
EAN
0846651030436
Farbe
schwarz
Gewicht
125 Gramm
Hersteller-Nr.
MLA4C413KOOP16GX2
Kapazität
32 GB (2 x 16 GB)
Profile
INTEL XMP (Version 2.0)
RAS-Precharge-Time (tRP)
23
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
23
Row-Active-Time (tRAS)
43
Serie
Redline Lumina RGB
Spannung
1,4 Volt
Standard
DDR4-4133 (PC4-33000)
TimingsCAS Latency (CL)
19
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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