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Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-2666 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S266KKKF16GX2, Redline, INTEL XMP)

Hersteller Mushkin Artikelnr. MRA4S266KKKF16GX2
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Description
Eigenschaften
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Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-2666 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S266KKKF16GX2, Redline, INTEL XMP)
Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-2666 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S266KKKF16GX2, Redline, INTEL XMP)
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Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-2666 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S266KKKF16GX2, Redline, INTEL XMP)
Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-2666 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S266KKKF16GX2, Redline, INTEL XMP)
Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-2666 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S266KKKF16GX2, Redline, INTEL XMP)
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Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-2666 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S266KKKF16GX2, Redline, INTEL XMP)
Lagernd
Anschluss:260-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:SO-DIMM
EAN:0846651029850
Farbe:schwarz
Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-2666 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S266KKKF16GX2, Redline, INTEL XMP)
Description

Produktbeschreibung

Das Mushkin MRA4S266KKKF16GX2 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-2666-Speichermodulen (PC4-21300) aus der Redline-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 260-Pin-unbuffered-SO-DIMM sind für einen Speichertakt bis 2666 MHz bei einer Latenz von 19-19-19-43 geeignet. Die Module benötigen 1,2 Volt Spannung.Art.-Nr.: 1698046
Specifications
Anschluss
260-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
SO-DIMM
EAN
0846651029850
Farbe
schwarz
Gewicht
125 Gramm
Hersteller-Nr.
MRA4S266KKKF16GX2
Kapazität
32 GB (2 x 16 GB)
Profile
INTEL XMP
RAS-Precharge-Time (tRP)
19
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
19
Row-Active-Time (tRAS)
43
Serie
Redline
Spannung
1,2 Volt
Standard
DDR4-2666 (PC4-21300)
TimingsCAS Latency (CL)
19
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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