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Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S320NNNF16GX2, Redline)

Hersteller Mushkin Artikelnr. MRA4S320NNNF16GX2
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Description
Eigenschaften
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Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S320NNNF16GX2, Redline)
Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S320NNNF16GX2, Redline)
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Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S320NNNF16GX2, Redline)
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Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S320NNNF16GX2, Redline)
Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S320NNNF16GX2, Redline)
Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S320NNNF16GX2, Redline)
Lagernd
Anschluss:260-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:SO-DIMM
EAN:0846651029942
Farbe:schwarz
Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(schwarz, MRA4S320NNNF16GX2, Redline)
Description

Produktbeschreibung

Das Mushkin MRA4S320NNNF16GX2 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Redline-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die 260-Pin-unbuffered-SO-DIMM sind für einen Speichertakt bis 3200 MHz bei einer Latenz von 22-22-22-52 geeignet. Die Module benötigen 1,2 Volt Spannung.Art.-Nr.: 1698050
Specifications
Anschluss
260-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
SO-DIMM
EAN
0846651029942
Farbe
schwarz
Hersteller-Nr.
MRA4S320NNNF16GX2
Kapazität
32 GB (2 x 16 GB)
RAS-Precharge-Time (tRP)
22
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
22
Row-Active-Time (tRAS)
52
Serie
Redline
Spannung
1,2 Volt
Standard
DDR4-3200 (PC4-25600)
TimingsCAS Latency (CL)
22
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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