Menu
:
+4951194274989
E-mail
info@wishitall.net
0 0
0
0

Team Group SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(silber, TTCCD432G3200HC22DC-S01, T-CREATE CLASSIC )

Hersteller Team Group Artikelnr. TTCCD432G3200HC22DC-S01
All about product
Description
Eigenschaften
Questions0
Team Group SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(silber, TTCCD432G3200HC22DC-S01, T-CREATE CLASSIC )
Team Group SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(silber, TTCCD432G3200HC22DC-S01, T-CREATE CLASSIC )
Team Group SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(silber, TTCCD432G3200HC22DC-S01, T-CREATE CLASSIC )
Team Group SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(silber, TTCCD432G3200HC22DC-S01, T-CREATE CLASSIC )
Team Group SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(silber, TTCCD432G3200HC22DC-S01, T-CREATE CLASSIC )
Team Group SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(silber, TTCCD432G3200HC22DC-S01, T-CREATE CLASSIC )
Lagernd
Anschluss:260-Pin
Anzahl:2 Stück
Bauform:SO-DIMM
EAN:0765441655249
Farbe:silber
Team Group SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher(silber, TTCCD432G3200HC22DC-S01, T-CREATE CLASSIC )
Description

Produktbeschreibung

Das Team Group TTCCD432G3200HC22DC ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) der T-CREATE CLASSIC -Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module unterstützen Timings von 22-22-22-52 bei 3200 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Art.-Nr.: 1785813
Specifications
Anschluss
260-Pin
Anzahl
2 Stück
Bauform
SO-DIMM
EAN
0765441655249
Farbe
silber
Hersteller-Nr.
TTCCD432G3200HC22DC-S01
Kapazität
32 GB (2 x 16 GB)
RAS-Precharge-Time (tRP)
22
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
22
Row-Active-Time (tRAS)
52
Serie
T-CREATE CLASSIC
Spannung
1,2 Volt
Standard
DDR4-3200 (PC4-25600)
TimingsCAS Latency (CL)
22
Typ
SDRAM-DDR4
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Answers & questions
Add your question and we will answer as soon as possible.

No questions about this product, be the first and ask your question.